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SIB800EDK-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIB800EDK-T1-GE3
説明: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ LITTLE FOOT®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±6V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Isolated)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SC-75-6L
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 225mOhm @ 1.6A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SC-75-6L Single
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.5V, 4.5V

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