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SIE810DF-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIE810DF-T1-E3
説明: MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.4mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 10-PolarPAK® (L)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Tc)

在庫が 92 pcs

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