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SIHB12N65E-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIHB12N65E-GE3
説明:	MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	380mOhm @ 6A, 10V
電力放蕩(マックス)	156W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D²PAK (TO-263)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1224pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	12A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V