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SIHB180N60E-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIHB180N60E-GE3
説明: MOSFET N-CH D2PAK TO-263
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ E
fet234タイプ N-Channel
包装 Bulk
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 156W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D²PAK (TO-263)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1085pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 19A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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