Image is for reference only , details as Specifications

SIHB24N65ET5-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIHB24N65ET5-GE3
説明: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ E
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 145mOhm @ 12A, 10V
電力放蕩(マックス) 250W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-263 (D²Pak)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 24A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 58 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.54 $3.47 $3.40
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

SIHB24N65ET1-GE3
Vishay / Siliconix
$3.54
IXTH90N15T
IXYS
$3.51
IXFQ12N80P
IXYS
$3.51
AOK29S50L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$3.51
FDH210N08
ON Semiconductor
$3.5