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SIHD6N65ET1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIHD6N65ET1-GE3
説明: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ E
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 600mOhm @ 3A, 10V
電力放蕩(マックス) 78W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252AA
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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