SIHD6N65ET1-GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SIHD6N65ET1-GE3 |
説明: | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | E |
fet234タイプ | N-Channel |
vgs max | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 78W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-252AA |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 650V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 100V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 7A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 87 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.70 | $0.69 | $0.67 |
最小: 1