画像は参考までに、仕様書を参照してください

SIHH068N60E-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIHH068N60E-T1-GE3
説明: MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ E
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 68mOhm @ 15A, 10V
電力放蕩(マックス) 202W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® 8 x 8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 34A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 2865 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

STB26NM60ND
STMicroelectronics
$0
STB45N65M5
STMicroelectronics
$0
STB28NM60ND
STMicroelectronics
$0
STL47N60M6
STMicroelectronics
$0
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
$7.03