Image is for reference only , details as Specifications

SIHH100N60E-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIHH100N60E-T1-GE3
説明:	MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	E
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	100mOhm @ 13.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	174W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® 8 x 8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	28A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V