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SIHJ7N65E-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIHJ7N65E-T1-GE3
説明: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 598mOhm @ 3.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 7.9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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