Image is for reference only , details as Specifications

SIHJ7N65E-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIHJ7N65E-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	598mOhm @ 3.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	7.9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V