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SIHS90N65E-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIHS90N65E-E3
説明:	MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	29mOhm @ 45A, 10V
電力放蕩(マックス)	625W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	SUPER-247™ (TO-274AA)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	591nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	11826pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	87A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V