画像は参考までに、仕様書を参照してください
SIR188DP-T1-RE3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | SIR188DP-T1-RE3 |
| 説明: | MOSFET N-CHAN 60V |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 3.85mOhm @ 10A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 30V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 25.5A (Ta), 60A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 7.5V, 10V |
在庫が 53 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1
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