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SIRA10BDP-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIRA10BDP-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CHAN 30V
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	+20V, -16V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.6mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス)	5W (Ta), 43W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	36.2nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	30A (Ta), 60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V