画像は参考までに、仕様書を参照してください

SIS414DN-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIS414DN-T1-GE3
説明: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 16mOhm @ 10A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 3.4W (Ta), 31W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® 1212-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 795pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

在庫が 63 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

SIR838DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIR412DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIR408DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIJ458DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIE878DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0