画像は参考までに、仕様書を参照してください

SIS606BDN-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SIS606BDN-T1-GE3
説明: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 17.4mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® 1212-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 7.5V, 10V

在庫が 6000 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.46 $1.43 $1.40
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FDD26AN06A0-F085
ON Semiconductor
$0
SQR97N06-6M3L_GE3
Vishay / Siliconix
$1.43
SQD100N02-3M5L_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQR40030ER_GE3
Vishay / Siliconix
$1.43
SQJ403EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0