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SIS606BDN-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIS606BDN-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	17.4mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® 1212-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1470pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	7.5V, 10V