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SIS903DN-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIS903DN-T1-GE3
説明:	MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET® Gen III
fet234タイプ	2 P-Channel (Dual)
包装	Cut Tape (CT)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	2.6W (Ta), 23W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	20.1mOhm @ 5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	6A (Tc)