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SIS932EDN-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SIS932EDN-T1-GE3
説明: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 2.6W (Ta), 23W (Tc)
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A (Tc)

在庫が 9000 pcs

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