Image is for reference only , details as Specifications

SISA88DN-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SISA88DN-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	+20V, -16V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	6.7mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® 1212-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	25.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	985pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V