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SISF00DN-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SISF00DN-T1-GE3
説明: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 69.4W (Tc)
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5mOhm @ 10A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® 1212-8SCD
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Tc)

在庫が 72 pcs

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