画像は参考までに、仕様書を参照してください
SISH106DN-T1-GE3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | SISH106DN-T1-GE3 |
| 説明: | MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | TrenchFET® |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| vgs max | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | PowerPAK® 1212-8SH |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V |
| 電力放蕩(マックス) | 1.5W (Ta) |
| サプライヤー装置パッケージ | PowerPAK® 1212-8SH |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 12.5A (Ta) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
在庫が 5990 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds
