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SIZ322DT-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SIZ322DT-T1-GE3
説明: MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 16.7W (Tc)
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.35mOhm @ 15A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-Power33 (3x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20.1nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 12.5V
現在25%で安全連続(id) @°c 30A (Tc)

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