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SIZ998DT-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SIZ998DT-T1-GE3
説明: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual), Schottky
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 20.2W, 32.9W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-PowerPair®
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A (Tc), 60A (Tc)

在庫が 8736 pcs

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