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SIZF300DT-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIZF300DT-T1-GE3
説明:	MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-PowerPair® (6x5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V, 62nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)