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SIZF906DT-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIZF906DT-T1-GE3
説明:	MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Cut Tape (CT)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	38W (Tc), 83W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TA)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-PowerPair® (6x5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	60A (Tc)