SIZF906DT-T1-GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | SIZF906DT-T1-GE3 |
説明: | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Cut Tape (CT) |
fet特徴 | Standard |
部地位 | Active |
-マックス | 38W (Tc), 83W (Tc) |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TA) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
サプライヤー装置パッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 60A (Tc) |
在庫が 3473 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.64 | $1.61 | $1.58 |
最小: 1