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SIZF920DT-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIZF920DT-T1-GE3
説明:	MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual), Schottky
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-PowerPair® (6x5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V, 125nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)