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SQ4153EY-T1_GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SQ4153EY-T1_GE3
説明:	MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	8.32mOhm @ 14A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	7.1W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-SOIC
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	151nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c	25A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V