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SQA410EJ-T1_GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SQA410EJ-T1_GE3
説明: MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 28mOhm @ 5A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 13.6W (Tc)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 7.8A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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