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SQJ200EP-T1_GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SQJ200EP-T1_GE3
説明:	MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	27W, 48W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	8.8mOhm @ 16A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	20A, 60A