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SQJ202EP-T1_GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SQJ202EP-T1_GE3
説明: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 27W, 48W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 975pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A, 60A

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