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SQJ411EP-T1_GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SQJ411EP-T1_GE3
説明:	MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.8mOhm @ 15A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	68W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	9100pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c	60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V