画像は参考までに、仕様書を参照してください

SQM50P03-07_GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SQM50P03-07_GE3
説明:	MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TA)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	7mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス)	150W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-263 (D²Pak)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	5380pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	50A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V