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SQM60030E_GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SQM60030E_GE3
説明: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 375W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D²PAK (TO-263)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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