画像は参考までに、仕様書を参照してください

SQM60030E_GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SQM60030E_GE3
説明: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 375W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D²PAK (TO-263)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 1227 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

TK4R3E06PL,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.89
TK31V60W5,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRLS3034TRL7PP
Infineon Technologies
$0
PSMN015-100P,127
Nexperia USA Inc.
$1.86
STB80NF55L-06T4
STMicroelectronics
$3.61