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SQP10250E_GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SQP10250E_GE3
説明: MOSFET N-CH 250V TO-220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 30mOhm @ 15A, 10V
電力放蕩(マックス) 250W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 250V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4050pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 53A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 7.5V, 10V

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