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SQS966ENW-T1_GE3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | SQS966ENW-T1_GE3 |
| 説明: | MOSFET N-CHAN 60V |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| fet特徴 | Standard |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 27.8W (Tc) |
| 取付タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| パケット/場合 | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 36mOhm @ 1.25A, 10V |
| サプライヤー装置パッケージ | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 572pF @ 25V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 6A (Tc) |
在庫が 66 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.34 | $0.33 | $0.33 |
最小: 1
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