画像は参考までに、仕様書を参照してください

SQUN702E-T1_GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SQUN702E-T1_GE3
説明:	MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ	N and P-Channel, Common Drain
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	48W (Tc), 60W (Tc)
取付タイプ	Surface Mount, Wettable Flank
パケット/場合	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	Die
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	40V, 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	30A (Tc), 20A (Tc)