SQV120N06-4M7L_GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SQV120N06-4M7L_GE3 |
説明: | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 4.7mOhm @ 30A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 250W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-262-3 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 120A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 91 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.69 | $1.66 | $1.62 |
最小: 1