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SUD19N20-90-T4-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SUD19N20-90-T4-E3
説明:	MOSFET N-CH 200V 19A TO252
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	90mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス)	3W (Ta), 136W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-252, (D-Pak)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	19A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V