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SUD19N20-90-T4-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SUD19N20-90-T4-E3
説明: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 90mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス) 3W (Ta), 136W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252, (D-Pak)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 19A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

在庫が 98 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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