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SUD35N10-26P-T4GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SUD35N10-26P-T4GE3
説明:	MOSFET N-CH 100V 35A TO252
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	26mOhm @ 12A, 10V
電力放蕩(マックス)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-252, (D-Pak)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c	35A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	7V, 10V