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SUD50N02-09P-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SUD50N02-09P-E3
説明: MOSFET N-CH 20V DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス) 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252, (D-Pak)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c -
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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