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SUP60030E-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SUP60030E-GE3
説明: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Bulk
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 375W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 141nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 7910pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 7.5V, 10V

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$2.92 $2.86 $2.80
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