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SUP60N10-18P-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SUP60N10-18P-E3
説明: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 18.3mOhm @ 15A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.75W (Ta), 150W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 8V, 10V

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