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VQ1006P-E3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | VQ1006P-E3 |
| 説明: | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | 4 N-Channel |
| 包装 | Tube |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 2W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 4.5Ohm @ 1A, 10V |
| サプライヤー装置パッケージ | 14-DIP |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | - |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 90V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 400mA |