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BUJ100LR,412

メーカー: WeEn Semiconductors
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BUJ100LR,412
説明: TRANS NPN 400V 1A TO-92
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー WeEn Semiconductors
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Active
-マックス 2.1W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BUJ100
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ TO-92-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.5V @ 250mA, 750mA
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 10 @ 400mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 400V

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