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BUJ303B,127

メーカー: WeEn Semiconductors
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BUJ303B,127
説明: TRANS NPN 400V 5A TO220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー WeEn Semiconductors
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Active
-マックス 100W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
トランジスタタイプ NPN
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.5V @ 1A, 3A
現在-コレクター・Ic (Max) 5A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 23 @ 800mA, 3V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 400V

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