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BUJ403A/DG,127

メーカー:	WeEn Semiconductors
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	BUJ403A/DG,127
説明:	TRANS NPN 550V 6A TO220AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	WeEn Semiconductors
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tube
部地位	Active
-マックス	100W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	-
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
vイス(Max) @ Ib、Ic	1V @ 400mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max)	6A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	20 @ 500mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	550V