画像は参考までに、仕様書を参照してください
PHE13009/DG,127
| メーカー: | WeEn Semiconductors |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | PHE13009/DG,127 |
| 説明: | TRANS NPN 400V 12A TO220AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | WeEn Semiconductors |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 80W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220AB |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 2V @ 1.6A, 8A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 12A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 8 @ 5A, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 400V |
在庫が 1 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.85 | $0.83 | $0.82 |
最小: 1
要求引用
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