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PHE13009/DG,127

メーカー:	WeEn Semiconductors
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	PHE13009/DG,127
説明:	TRANS NPN 400V 12A TO220AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	WeEn Semiconductors
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tube
部地位	Active
-マックス	80W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	-
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
vイス(Max) @ Ib、Ic	2V @ 1.6A, 8A
現在-コレクター・Ic (Max)	12A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	8 @ 5A, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	400V