Image is for reference only , details as Specifications

W947D2HBJX5E

メーカー: Winbond Electronics
対象品目: Memory
データシート: W947D2HBJX5E
説明: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Winbond Electronics
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 SDRAM - Mobile LPDDR
アクセス時間 5ns
メモリサイズ 128Mb (4M x 32)
メモリタイプ Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット DRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 90-TFBGA
クロック周波数 200MHz
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 1.7V ~ 1.95V
作動温度 -25°C ~ 85°C (TC)
サプライヤー装置パッケージ 90-VFBGA (8x13)
サイクル時間−単語,ページを書く 15ns

在庫が 52 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.21 $2.17 $2.12
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

W25Q257JVFIQ TR
Winbond Electronics
$2.21
W25Q256JVFIM TR
Winbond Electronics
$2.21
W25Q256JVFIQ TR
Winbond Electronics
$2.21
W631GU8MB15I TR
Winbond Electronics
$2.2
W631GU8MB11I TR
Winbond Electronics
$2.2