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W949D2DBJX5E

メーカー: Winbond Electronics
対象品目: Memory
データシート: W949D2DBJX5E
説明: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Winbond Electronics
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tray
技術 SDRAM - Mobile LPDDR
アクセス時間 5ns
メモリサイズ 512Mb (16M x 32)
メモリタイプ Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット DRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 90-TFBGA
クロック周波数 200MHz
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 1.7V ~ 1.95V
作動温度 -25°C ~ 85°C (TC)
サプライヤー装置パッケージ 90-VFBGA (8x13)
サイクル時間−単語,ページを書く 15ns

在庫が 45 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.42 $3.35 $3.28
最小: 1

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