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W987D2HBJX7E TR

メーカー: Winbond Electronics
対象品目: Memory
データシート: W987D2HBJX7E TR
説明: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Winbond Electronics
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
技術 SDRAM - Mobile LPSDR
アクセス時間 5.4ns
メモリサイズ 128Mb (4M x 32)
メモリタイプ Volatile
部地位 Not For New Designs
メモリフォーマット DRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 90-TFBGA
クロック周波数 133MHz
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 1.7V ~ 1.95V
作動温度 -25°C ~ 85°C (TC)
サプライヤー装置パッケージ 90-VFBGA (8x13)
サイクル時間−単語,ページを書く 15ns

在庫が 91 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.00 $1.96 $1.92
最小: 1

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