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DS1230Y-200IND+

メーカー: Lanka Micro
対象品目: Memory
データシート: DS1230Y-200IND+
説明: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Maxim Integrated
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tube
技術 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
アクセス時間 200ns
メモリサイズ 256Kb (32K x 8)
メモリタイプ Non-Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット NVSRAM
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
ベース部材番号 DS1230Y
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 4.5V ~ 5.5V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 28-EDIP
サイクル時間−単語,ページを書く 200ns

在庫が 17 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$24.32 $23.83 $23.36
最小: 1

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