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BCY59-VIII
| メーカー: | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | BCY59-VIII |
| 説明: | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Central Semiconductor Corp |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 150MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-18 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 700mV @ 2.5mA, 100mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 10nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 180 @ 2mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 45V |
